近日，吉安市新三代科技有限公司对外发布其在第三代半导体领域的最新研发成果，并宣布将进一步扩大碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）功率器件的产业化布局。作为江西省吉安市重点培育的高新技术企业，新三代科技始终坚持以技术创新为核心驱动力，积极推动半导体材料与器件的国产化替代，为国内新能源、5G通信、工业控制等战略产业提供关键支撑。 围绕“新三代”的命名内涵，公司技术负责人表示，这既代表了企业对第三代半导体技术的专注深耕，也寓意着持续迭代、超越前代的创新精神。当前，新三代科技已构建起涵盖材料生长、芯片设计、封装测试及应用验证的完整研发体系，尤其在高压、高频、高可靠性功率器件领域积累了多项自主知识产权。其最新推出的1200V碳化硅MOSFET及650V氮化镓HEMT产品，导通电阻更低、开关损耗更小，可显著提升充电桩、光伏逆变器、新能源汽车电驱及数据中心电源系统的整体能效。 在产品质量与可靠性方面，吉安市新三代科技有限公司严格遵循AEC-Q101、JEDEC等国际标准进行验证，产品已通过多家下游头部客户的批量导入测试。同时，公司还积极与本地高校及科研院所开展产学研合作，共建联合实验室，加速技术成果转化。据介绍，新三代科技在吉安高新区设有现代化生产基地，月产能已达到万片级规模，并计划在未来两年内引入智能化产线，进一步提升交付能力。 除了产品与技术层面的持续突破，新三代科技还致力于打造开放共赢的产业生态。公司近期与多家新能源车企及电源方案商签署战略合作协议，围绕SiC/GaN器件在800V高压平台、双向OBC、服务器电源等场景的应用展开深度协作，推动高性能功率半导体从“可用”向“好用”升级。未来，公司将继续加大研发投入，完善第三代半导体产业链布局，助力区域经济高质量发展，为中国“双碳”目标及数字经济新基建注入更强“芯”动力。