TKD 近日，吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）对外宣布，其自主研发的系列第三代半导体功率器件产品已完成多轮可靠性验证，在高温、高频、高压等极端工况下表现稳定，顺利通过相关行业认证。这标志着公司在第三代半导体产业化进程中再次迈出关键一步，也为区域电子信息产业升级注入了新动能。 技术突破聚焦第三代半导体核心赛道 作为吉安市重点培育的高新技术企业之一，新三代科技始终将技术研发视为立身之本。公司依托本地产业配套与人才政策，组建了一支覆盖材料生长、芯片设计、封装测试全链条的研发团队，专注碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代半导体材料的应用开发。与传统的硅基器件相比，第三代半导体功率器件具备更高耐压、更低导通损耗、更快开关速度等显著优势，能够有效满足新能源、5G通信、工业变频等领域对高效能量转换的迫切需求。 据了解，新三代科技在器件结构设计与工艺制造上取得了多项自主创新成果，已累计申请相关专利二十余项。其自主开发的沟槽型碳化硅MOSFET工艺，有效降低了导通电阻与开关损耗，产品性能对标国际同类主流型号。同时，公司引入先进的可靠性测试与筛选体系，确保每一颗出厂的功率器件均具备高一致性与长寿命特性。 产品应用服务绿色能源与智能智造 目前，新三代科技的主要产品线包括650V/1200V碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET模块以及氮化镓HEMT功率器件，广泛应用于光伏逆变器、储能变流器、新能源汽车充电桩、服务器电源等高效能转换场景。以光伏逆变器为例，采用新三代科技的碳化硅功率器件后，系统转换效率可提升至99%以上，同时大幅缩小整机体积与散热成本，为电站业主带来更优的经济回报。 在工业控制领域，公司的功率模块凭借出色的抗浪涌能力和高温稳定性，被多家设备制造商纳入优选供应商名单。新三代科技相关负责人表示“我们希望通过持续迭代产品性能，帮助客户在同等功耗下实现更强的输出能力，真正用技术创造价值。” 未来发展持续加码研发，构建产业生态 面对全球第三代半导体市场规模的快速增长，新三代科技制定了清晰的战略规划。下一步，公司将重点推进车规级功率模块的认证与量产，同时与本地高校及科研院所共建联合实验室，加速技术成果转化。此外，公司还计划扩建智能化产线，提升自动化制造水平，目标在三年内实现年产能翻番。 作为一家扎根吉安、面向全国的高科技企业，新三代科技将秉持“创新驱动、质量为本”的理念，持续深耕第三代半导体领域，与中国制造共同成长，为绿色低碳和智能制造的高质量发展贡献“芯”力量。