TKD 近日，吉安市新三代科技有限公司在江西吉安召开新品发布会，正式推出一款基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的高功率密度功率器件。此次发布的产品不仅标志着公司在第三代半导体领域取得重要技术突破，也为其在高效电源市场奠定了坚实基础。 作为一家专注于宽禁带半导体技术研发与应用的科技企业，吉安市新三代科技有限公司始终瞄准国际前沿，围绕GaN、SiC等第三代半导体材料，持续投入研发力量。此次发布的GaN功率器件，采用了先进的增强型HEMT结构，结合优化的驱动方案，实现了开关频率和耐压能力的双重提升。与传统的硅基功率器件相比，该产品可将电源转换效率提升至99%以上，同时将器件体积缩小约50%，为终端设备的轻量化与节能化提供了全新解决方案。 在技术层面，该GaN功率器件具备高频、高效、耐高温等显著优势，能够有效应对高频电源设计中的寄生参数挑战，降低开关损耗和导通损耗。同时，公司通过独特的封装工艺和热管理设计，保证了器件在-40℃至175℃极端温度环境下的稳定运行。这一突破性的性能表现，使其在新能源汽车车载充电器（OBC）、DC-DC变换器、5G基站电源、数据中心服务器电源以及光伏逆变器等应用中展现出极强的适配性。 发布会上，公司技术总监介绍“此次推出的GaN功率器件，是我们团队历时三年攻关的成果。我们不仅解决了外延材料生长和器件工艺一致性的难题，还优化了与驱动控制器的匹配方案，真正实现了从芯片到模块的完整产业化能力。”据悉，该产品已通过多项可靠性验证，并进入小批量供货阶段，多家下游客户正启动系统测试。 从产业角度看，随着“双碳”战略的深入实施，高效节能的电力电子技术需求日益旺盛。吉安市新三代科技有限公司抓住第三代半导体发展机遇，不仅为本地电子信息产业注入新动能，也有助于推动江西在中高端半导体产业链中的布局。公司负责人表示，未来将继续加大GaN功率器件的研发力度，逐步向车规级、工业级高端应用拓展，同时加强与本地高校及科研院所的合作，培养半导体专业人才，打造具有区域影响力的第三代半导体创新高地。 此次新品的发布，是吉安市新三代科技有限公司在高效电源技术领域的一次重要里程碑。业内专家认为，随着公司产品在新能源汽车、通信基础设施等关键行业规模化应用，其技术优势和成本优势将进一步显现，有望在全球功率半导体市场中占据一席之地。吉安市新三代科技有限公司也将持续以技术创新为核心，为行业发展贡献更多“新三代”智慧和方案。