在全球半导体产业加速变革与“双碳”战略深入推进的时代背景下，第三代半导体材料凭借其宽禁带、高击穿场强、高导热率等优异性能，正成为重塑电力电子、射频通信与光电子领域格局的关键力量。作为一家专注于第三代半导体技术产业化的高新技术企业，吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）立足江西吉安，面向全国市场，以自主研发为核心，着力打造具有国际竞争力的产品矩阵，正快速成长为行业不可忽视的“新势力”。 深耕技术蓝海，聚焦碳化硅核心赛道 新三代科技自成立以来，始终将技术创新视为企业发展的第一驱动力。公司核心团队汇聚了来自国内外知名半导体机构的材料学、微电子学及电力电子专家，拥有超过十年的宽禁带半导体研发与量产经验。公司主营业务覆盖碳化硅（SiC）单晶衬底、外延片、功率器件及模块的全产业链关键环节，尤其在大尺寸导电型衬底制备和高压低损耗功率器件设计方面取得了显著突破。通过自主掌握热场控制、缺陷抑制及高可靠封装等核心工艺，新三代科技的产品在比导通电阻、开关损耗及高温稳定性等核心指标上已达到国内领先水平，部分参数媲美国际一线品牌，为下游客户提供了性能优异的国产化选择。 紧贴应用场景，赋能新能源与高端制造 当前，碳化硅功率器件正处于从高端工业向大众市场加速渗透的关键周期。新三代科技精准把握市场需求，推出了系列化、定制化的功率模块产品，主要面向三大核心应用场景 一是新能源汽车领域。 新三代科技的车规级SiC MOSFET模块已通过AEC-Q101可靠性认证，能够显著提升电机控制器的效率与功率密度，有效延长整车续航里程，并支持800V高压快充平台的快速普及。 二是光伏储能与智能电网。 针对光伏逆变器和储能变流器对高效率、高耐压、高可靠性的严苛要求，公司开发了1200V/1700V系列SiC二极管与晶体管模块，助力系统转换效率提升至99%以上，降低度电成本，支撑清洁能源大规模并网。 三是5G通信与工业电源。 新三代科技的射频GaN（氮化镓）器件及高功率密度电源方案，可为5G基站、数据中心及智能制造装备提供稳定、高效的电力支撑，满足通信基础设施对小型化与低功耗的持续追求。 构建产业生态，推动国产替代进程 面对全球芯片供应链的复杂局面，加快核心器件自主可控已成为行业共识。新三代科技积极联合上下游合作伙伴，从材料端的高纯合成，到设备端的国产化适配，再到应用端的系统验证，全方位构建闭环式的国产供应链体系。公司已与多家国内头部车企、电力设备商及通信方案商建立深度合作，批量交付的SiC功率产品在客户实际运行中表现稳定，性能反馈良好，有效缓解了高端功率芯片“卡脖子”问题。与此同时，公司二期智能化产线正在加速建设中，规划满产后年产能将达到数十万片等效6英寸碳化硅晶圆，可满足不断增长的市场需求。 面向未来，以创新引擎驱动高质量发展 技术永无止境，创新永不止步。吉安市新三代科技有限公司将持续加大研发投入，推进8英寸碳化硅衬底技术研发，并前瞻布局氧化镓等超宽禁带材料。公司将依托吉安优越的营商环境与产业政策支持，建设成为具有全球影响力的第三代半导体研发及制造基地，为区域经济高质量发展注入强劲科技动能，为中国乃至全球绿色能源变革贡献专业力量。 未来，新三代科技期待与更多合作伙伴携手，以可靠的“芯”实力，共创智慧、低碳、高效的电气化新时代。