TKD 在当前全球半导体产业加速变革的背景下，第三代半导体材料凭借其高击穿电场、高热导率、低功耗等显著优势，正成为新能源汽车、5G通信、光伏储能和工业控制等领域的核心引擎。作为这一赛道上的新兴力量，吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）近日宣布，其自主研发的多款碳化硅（SiC）功率器件与氮化镓（GaN）快充芯片已通过多项可靠性验证，并进入批量交付阶段。这标志着公司在第三代半导体产业化进程中迈出了坚实一步。 技术突破聚焦碳化硅与氮化镓核心工艺 新三代科技自成立以来，始终聚焦第三代半导体材料及器件的设计、制造与应用。公司技术团队在6英寸导电型碳化硅衬底及外延工艺上实现了关键突破，有效降低了位错密度，提升了器件导通电阻的一致性。其推出的1200V/40A碳化硅MOSFET，导通电阻低至35mΩ，开关损耗较传统硅基IGBT降低70%以上，特别适用于新能源汽车主驱逆变器和车载充电机。 同时，公司加大了对氮化镓功率器件的研发投入，推出了650V增强型GaN HEMT系列产品。该系列产品支持高频高效运行，配合高压半桥驱动设计方案，可将适配器功率密度提升至30W/in³以上，助力消费电子快充向着更小体积、更高效率方向演进。 产品亮点高性能与高可靠性并重 “半导体器件不仅要比拼性能参数，更要在真实工况中经受住可靠性考验。”新三代科技技术负责人表示。为此，公司建立了完整的AEC-Q101车规级认证体系，涵盖高温栅偏、高湿高压、功率循环等十余项严苛测试。目前，其车规级碳化硅二极管已成功进入多家新能源整车厂的供应商名录。 在工业领域，新三代科技还推出了适用于光伏逆变器的SiC混合模块。该模块采用独特的高温烧结银封装工艺，工作结温可达175℃，显著提升系统在高温、高尘环境下的长期稳定性。据实测数据，采用该模块的组串式逆变器，整体转换效率可提升至99%以上，有效降低度电成本。 面向未来构建本地化产业生态 吉安市作为江西省重要的电子信息产业基地，具备良好的制造基础和配套环境。新三代科技计划在吉安高新区建设第三代半导体器件封测产线，预计2025年底实现月产500万颗功率器件的产能目标。同时，公司计划与本地高校及科研院所共建联合实验室，围绕碳化硅材料缺陷控制、新型封装结构设计等课题开展深度合作。 “我们希望在吉安打造一条从材料、设计、制造到应用的第三代半导体创新链，为当地数字经济与绿色能源产业发展提供核心技术支撑。”公司总经理表示。 在“双碳”战略与产业数字化转型的双重驱动下，第三代半导体正迎来黄金发展期。吉安市新三代科技有限公司将持续深耕核心技术，以更优质的产品和服务，携手产业链伙伴共创高效、绿色、智能的未来。