```html TKD 吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）作为国内第三代半导体领域的高新技术企业，近日对外宣布其自主研发的新一代碳化硅（SiC）功率器件系列产品已进入量产爬坡阶段。这一突破标志着公司在宽禁带半导体材料应用与功率电子核心技术上迈上了新台阶，同时也为吉安地区半导体产业链的高质量发展注入了新动能。 聚焦第三代半导体，抢占技术制高点 随着全球能源体系向高效、低碳、智能方向加速演进，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，正逐步取代传统硅基器件，成为电力电子系统升级的核心引擎。新三代科技自成立以来，始终聚焦第三代半导体产业链关键环节，以“材料—器件—模块—应用”全链条协同创新为发展战略，重点攻克碳化硅功率器件在高频、高功率、高温高压场景下的工程化难题。 本次量产的新一代SiC MOSFET系列产品，基于6英寸/8英寸导电型碳化硅衬底工艺，采用先进的沟槽栅极设计与独特的封装结构，在击穿电压、导通电阻、开关速度及可靠性等方面均达到国内领先水平。相比传统硅基IGBT方案，该系列产品能够将系统开关损耗降低约50%-70%，导通损耗降低约30%，从而显著提升系统整体效率。 产品技术亮点高可靠性、低损耗、易集成 新三代科技本次发布的新品涵盖650V/1200V/1700V多个电压等级，适配不同功率段应用需求。其核心技术优势主要体现在以下几个方面 1. 极低的导通电阻与开关损耗通过优化元胞结构和掺杂工艺，单位面积导通电阻进一步降低，配合低感应的模块封装，使器件在高频开关下仍能保持优异的热稳定性和电气性能。 2. 高可靠性与长寿命设计采用高纯度抗氧化栅氧工艺，并通过严格的1000小时高温反偏（HTRB）和高压高温高湿（H3TRB）可靠性考核，器件在175℃结温下仍可保持稳定的工作特性。 3. 易于并联与驱动内置开尔文源极设计，有效减小栅极寄生电感，提升多管并联的均流能力；同时兼容-4V~+22V的栅极驱动电压范围，可直接替代传统驱动方案，降低客户设计门槛。 4. 绿色环保封装采用符合RoHS标准的无铅化封装材料，并应用DBC（直接覆铜）基板技术，显著提升散热效率，满足高功率密度集成需求。 值得一提的是，新三代科技还针对新能源汽车电驱系统定制开发了车规级SiC功率模块。该模块在极端的冷热循环、机械振动和盐雾腐蚀环境下表现出众，获得了部分头部车企和Tier1供应商的样品认证，即将进入批量供货阶段。 多场景应用，赋能低碳智能产业 碳化硅功率器件的应用价值正在从高端工业向大众化领域快速渗透。新三代科技的产品可广泛应用于 - 新能源汽车主驱逆变器、车载充电机（OBC）、直流电压变换器（DC-DC），提升续航里程与充电速度； - 光伏与储能高效组串式逆变器、储能变流器（PCS），提高光伏发电转换效率； - 充电基础设施直流快充桩功率模块，实现更高功率密度与更小体积； - 工业电源与伺服驱动高频开关电源、UPS、电梯驱动、机器人伺服系统，提供节能降耗解决方案。 以光伏逆变器为例，采用新三代科技SiC MOSFET后，整机效率可提升至99%以上，同时设备体积和重量减少约40%，大幅降低系统安装与运维成本。在新能源汽车主驱应用中，SiC方案能使电机控制器效率提升6%-8%，直接延长车辆综合续航里程。 深耕产业生态，助力吉安科技升级 作为吉安市重点引进和培育的半导体企业，新三代科技在地方政府的大力支持下，已建成集设计、测试、可靠性验证于一体的现代化研发中心。同时，公司与国内外多家知名高校和科研机构开展深度合作，建立了“产、学、研、用”协同创新平台，持续推动第三代半导体核心技术的国产化进程。 公司董事长在近日召开的“2025第三代半导体技术与产业发展论坛”上表示“新三代科技始终坚持‘技术立企、质量为本’的发展理念。我们不仅仅是提供一颗芯片或一个模块，更是为客户提供领先的功率转换整体解决方案。未来两年，公司将规划建设月产能2万片的SiC器件专用产线，并积极布局8英寸乃至更大尺寸衬底工艺，力争成为国内第三代半导体功率器件的骨干企业。” 面向未来以创新驱动，拥抱千亿赛道 据行业研究机构预测，到2030年全球碳化硅功率器件市场规模将突破500亿美元，中国市场占比将超过40%。面对庞大的市场需求和日益激烈的国际竞争，新三代科技将坚持自主研发与开放合作并举，继续加大在SiC器件结构、先进封装、驱动技术和可靠性评估方面的投入。同时，公司计划推出集成驱动与保护功能的智能功率模块（IPM），进一步拓展在工业变频和智能电网领域的应用。 从材料创新到器件革命，从国产替代到引领全球，吉安市新三代科技有限公司正以实际行动践行“让功率转换更高效、更可靠”的企业使命。此番新产品量产不仅是公司技术实力的有力证明，也为中国第三代半导体产业链的自主可控增添了重要的一环。在未来清洁能源与智能科技深度融合的时代浪潮中，新三代科技有望站上更加广阔的舞台，为全球“双碳”目标贡献来自吉安的“芯”力量。 *关于吉安市新三代科技有限公司成立于2019年，位于江西省吉安市井冈山经济技术开发区，是一家专注于第三代半导体碳化硅（SiC）功率器件与模块研发、制造和销售的高新技术企业。公司主要产品包括SiC MOSFET、SiC SBD及其功率模块，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、工业电源和智能电网等领域。* ```