TKD 吉安市新三代科技有限公司发布第三代半导体GaN功率模块，赋能高效能源产业 吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）近日宣布，其第三代半导体功率器件产品线完成升级，正式发布 NSD-G3 系列 GaN 功率模块。该系列产品面向新能源汽车、光伏储能、工业电源与服务器电源等高频高功率应用场景，是公司在第三代半导体领域持续深耕的重要成果。 第三代半导体技术，为何成为关键赛道？ 当前，以 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体材料，正在逐步替代传统硅基器件。与传统硅材料相比，第三代半导体具有更高的禁带宽度、更强的击穿场强和更高的电子饱和速度，能够在更高温度、更高频率和更高电压环境下稳定工作。尤其在新能源产业高速发展的今天，第三代半导体已成为提升能源转换效率的核心技术之一。 吉安市新三代科技有限公司以“新三代”命名，正是基于对第三代半导体技术趋势的深刻理解。公司聚焦高效、高频、高可靠性的功率器件研发，致力于将第三代半导体技术从实验室推向规模化应用，助力行业实现绿色低碳转型。 NSD-G3 系列产品技术亮点 NSD-G3 系列 GaN 功率模块在设计与制造上采用了多项新技术，具备以下核心优势 1. 高效率、低损耗 NSD-G3 系列采用氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）技术，显著降低导通电阻和栅极电荷。与传统硅基 MOSFET 相比，开关损耗可降低约 60%，在高速开关场景下能有效提升系统整体效率。 2. 高频小型化 借助 GaN 材料优异的开关特性，NSD-G3 模块工作频率可提升至兆赫兹级，使外部磁性元件和滤波电路体积大幅减小。配合紧凑型封装设计，功率模块整体体积较上一代产品减少约 40%，为终端设备的小型化和轻量化提供支撑。 3. 高集成度与易用性 新三代科技在模块内部集成了驱动电路、电源管理单元及多层次的保护功能，包括过温保护、过流保护和短路保护。用户无需复杂的外部驱动设计，即可快速完成应用系统开发，降低研发门槛和系统成本。 4. 高可靠性与车规级品质 NSD-G3 系列模块通过了严格的可靠性验证，可满足车规级 AEC-Q101 标准要求。产品在高温、高湿、振动等严苛环境下依然保持稳定性能，适用于车载充电机、DC-DC 变换器等对可靠性要求极高的场景。 应用场景广泛，覆盖新能源核心领域 新能源汽车 在新能源汽车领域，NSD-G3 系列 GaN 功率模块可用于车载充电机（OBC）、直流变换器（DC-DC）和电驱辅助电源系统。更高的工作频率和更低的损耗，有助于提升充电效率、缩短充电时间，并增加整车续航里程。 光伏储能 光伏逆变器与储能变流器需要在宽输入电压范围内保持高效运行。NSD-G3 系列模块的高频特性使逆变器设计更加紧凑，同时降低散热压力，提升系统发电收益。尤其适合分布式光伏、户用储能等应用场景。 工业电源与服务器电源 随着人工智能、数据中心和通信基站对电源功率密度的要求不断提升，传统硅基电源方案已逐渐遇到瓶颈。新三代科技推出的 GaN 功率模块，可为 3kW 至 10kW 级别的工业电源与服务器电源提供高效、高可靠性的解决方案，实现更高的功率密度和更低的能耗。 从芯片到系统，提供一站式解决方案 吉安市新三代科技有限公司不仅提供功率模块产品，还围绕 NSD-G3 系列开发了完整的评估板、参考设计和应用支持方案。公司拥有从芯片设计、封装测试到系统应用验证的完整能力，能够帮助客户缩短产品开发周期，提升市场竞争力。 同时，新三代科技的技术团队可针对客户具体需求，提供定制化的模块设计与系统优化服务。无论是新能源汽车零部件企业，还是光伏逆变器、工业电源制造商，都能在新三代科技的平台上获得从元器件选型到量产导入的全流程支持。 量产进程与未来展望 据悉，NSD-G3 系列 GaN 功率模块目前已经进入样品供应阶段，已有多家新能源及工业电源客户完成选型测试，预计将在本季度末实现批量供货。新三代科技表示，未来将继续扩大第三代半导体产品布局，推动 SiC 功率器件与 GaN 功率模块的协同发展，为新能源产业提供更完整的功率半导体解决方案。 吉安市新三代科技有限公司将持续以技术创新为核心驱动，围绕“高频、高效、高可靠”的产品理念，与产业链上下游伙伴紧密合作，助力中国第三代半导体产业迈向更高质量发展的新阶段。