近日，吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）正式发布新一代氮化镓（GaN）功率器件系列产品，标志着企业在第三代半导体领域取得重要突破。作为一家专注于功率半导体与新能源技术的高新技术企业，新三代科技依托吉安电子信息产业优势，持续加大研发投入，走出了一条具有特色的技术创新之路。 第三代半导体材料以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，具有高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等优异性能，是支撑新能源汽车、5G基站、光伏逆变器等战略性产业的关键基础。新三代科技瞄准这一前沿方向，组建了一支由资深专家领衔的研发团队，攻克了材料生长、器件设计、封装测试等多项核心技术。 此次发布的产品涵盖650V/100V系列氮化镓功率器件，具有开关速度快、导通电阻低、反向恢复损耗小等优点，相比传统硅基器件，系统效率可提升3%-5%，体积缩小30%以上。该系列产品可广泛应用于快充电源、数据中心服务器电源、通信设备电源以及便携式电子设备等领域，契合国家“双碳”战略对高效能功率半导体的需求。 在产线建设方面，新三代科技已建成符合国际标准的GaN功率器件中试线及可靠性测试实验室，并引入自动化测试与分选设备，确保产品一致性与可靠性。公司还积极与本地高校及研究机构开展产学研合作，加速第三代半导体技术在江西及周边地区的产业化落地。 “新三代”寓意着企业在三代技术创新中不断突破。公司负责人表示，未来将继续聚焦第三代半导体材料与器件，以绿色、高效、智能为核心，不断提升产品性能与服务质量，努力成为国内领先、国际知名的功率半导体企业，为全球客户创造更大价值。