TKD 吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）坐落于江西省吉安市，是一家专注于第三代半导体技术研发与产业化的高新技术企业。公司以“新三代”为名，寓意着对第三代半导体材料——碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术的执着追求与突破创新。近日，公司正式对外发布新一代车规级碳化硅功率模块，标志着其在功率半导体领域迈入新阶段。 作为第三代半导体核心材料，碳化硅具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异性能，能够显著提高电力电子系统的转换效率与可靠性。新三代科技深耕这一领域，已建成涵盖材料生长、器件设计、封装测试的完整产线。公司拥有一支由国内外博士领衔的技术团队，与多所高校及科研院所建立产学研合作，持续突破关键技术瓶颈，推动碳化硅、氮化镓器件在新能源汽车、光伏逆变器、工业电源及5G通信等前沿领域的大规模应用。 本次发布的碳化硅功率模块采用先进的平面栅极工艺和低电感封装设计，具有开关速度快、损耗低、耐高温等优势。在800V高压电气架构下，模块效率可提升至99%以上，有效延长新能源汽车续航里程，降低系统成本。该产品已顺利通过AEC-Q101可靠性认证，并已获得多家头部车企及储能客户的批量订单，实现了从技术突破到商业落地的跨越。 新三代科技的快速发展，离不开吉安市优越的营商环境与产业政策支持。作为江西省重点引进的半导体项目，公司基地占地百余亩，配备了国际领先的晶圆制造与可靠性测试设备。公司始终秉持“技术立企、质量为本”的理念，构建了完善的质量管理体系，并通过IATF16949、ISO9001等国际认证。同时，公司积极布局知识产权保护，已累计申请30余项核心专利，形成具有自主知识产权的技术壁垒。 展望未来，吉安市新三代科技有限公司将持续加大研发投入，拓展第三代半导体在智能电网、轨道交通运输、高端装备等更多领域的应用。公司计划在未来三年内扩大产能至年产30万片碳化硅衬底，并启动氮化镓射频器件产线建设，打造成为国内领先、国际知名的第三代半导体IDM企业。 新三代科技，正以澎湃的创新动能，助力国家“双碳”目标，推动中国半导体产业迈向高质量跃迁。选择新三代，共赢未来芯时代。