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吉安市新三代科技有限公司三代半导体材料技术突破，驱动高端制造新引擎

新闻动态 | 技术前沿 | 产品应用 聚焦第三代半导体，新三代科技开启材料创新“加速度” 随着全球半导体产业向高功率、高频率、耐高温方向深度演进，第三代半导体材料——碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）已成为打破传统硅基性能天花板的关键突破口。作为国内第三代半导体领域的新锐力量，吉安市新三代科技有限公司立足江西吉安，面向全国市场，近日正式发布其新一代6英寸导电型碳化硅衬底及配套外延片产品，并宣布其功率器件封装测试线已实现批量试产。这标志着公司在化合物半导体产业链的垂直整合能力迈上新台阶，也为区域高端制造注入强劲动能。 技术突破低缺陷密度碳化硅衬底，攻克“卡脖子”关键环节 在半导体产业链中，衬底材料占据约50%的成本，是技术壁垒最高的环节。吉安市新三代科技有限公司依托自主研发的热场控制与晶体生长工艺，成功将6英寸碳化硅单晶衬底的微管密度降至0.1/cm²以下，位错密度控制在3000/cm²以内，达到国际先进水平。该产品具备高电阻率均匀性、低翘曲度和极佳的表面粗糙度，可广泛适配MOSFET、SBD等高性能功率器件的制造需求。 同时，公司同步推出氮化镓（GaN）功率外延片解决方案，采用MOCVD技术在蓝宝石及硅基衬底上进行异质外延生长，实现了二维电子气迁移率>2000 cm²/(V·s)，适用于高频率、高效率的电源管理及射频放大器场景。 产品矩阵从材料到模组的全链条国产化 本次发布的系列产品主要面向三大核心赛道 1. 新能源汽车与充电基础设施面向800V高压平台，公司开发的1200V/40A SiC肖特基二极管和SiC MOSFET功率模块，开关损耗较传统硅基IGBT降低70%以上，可有效提升整车续航与充电速度。 2. 5G通信与雷达系统基于GaN-on-SiC工艺的射频功率放大器晶圆，工作频率覆盖DC-6GHz，输出功率密度可达8W/mm，满足基站和相控阵雷达的高线性度要求。 3. 光伏逆变器与储能系统集成化SiC智能功率模块（IPM）采用低热阻封装，支持双向电能转换，转换效率高达99%，助力光伏电站降本增效。 产业落地千级无尘车间投产，构建生态协同 吉安市新三代科技有限公司现已建成总面积约8000平方米的研发与生产洁净车间，其中百级净化区占30%。项目全面达产后，预计年产6英寸碳化硅衬底10万片，可支撑50万辆新能源汽车的功率模块需求。此外，公司与上游多晶料供应商及下游封装测试厂商建立了战略合作，在吉安本地初步形成“晶体生长-衬底加工-外延制备-器件设计-模块封装”的微型产业闭环。 “我们不仅提供标准产品，更愿意与客户共同定义器件规格。”公司技术总监表示，“新三代科技始终以‘材料创新、服务产业’为使命，未来两年内将推进8英寸碳化硅衬底的小批量验证，同步布局GaN功率IC的规模化交付，以更优的品质和更具竞争力的成本，助力中国半导体供应链自主可控。” 未来展望以技术为引擎，服务全球高端制造 随着全球第三代半导体市场规模预计于2028年突破200亿美元，吉安市新三代科技有限公司将持续加大研发投入，计划新增微纳加工与失效分析实验平台，并组建博士后创新实践基地，吸引高层次人才扎根江西、回馈老区。公司将以更加开放的姿态拥抱产业链合作，携手伙伴共同打造安全、高效、绿色的新型功率电子生态。 关于吉安市新三代科技有限公司 吉安市新三代科技有限公司成立于2021年，位于江西省吉安市井冈山经济技术开发区，是一家专注于第三代半导体材料及功率器件研发、制造与销售的高新技术企业。公司核心团队拥有超过15年的碳化硅、氮化镓领域产业化经验，已申请专利及软著30余项。公司以“质量为先、创新驱动、客户共赢”为经营理念，致力于成为全球领先的化合物半导体解决方案提供商。 联系与合作 地址江西省吉安市井冈山经济技术开发区深圳大道298号 电话0796-8888666 官网www.xinsandai.com.cn （本文为科技创新与产业动态报道，不构成投资建议。）