“博蓝特”获投资，将进一步发力第三代半导体技术创新

“博蓝特”获中兵顺景投资后，将通过设立子公司、建设研发中心及新增封装线等举措进一步发力第三代半导体技术创新。具体内容如下：

• 融资与子公司设立浙江博蓝特半导体科技股份有限公司获得中兵顺景投资后，计划在厦门市火炬高新区设立子公司（或为厦门立芯元奥微电子科技有限公司），并以此为载体推进第三代半导体相关业务布局。

• 第三代半导体研发中心建设新子公司将重点建设第三代半导体研发中心，聚焦氮化镓（GaN）等核心材料的技术突破。根据智慧芽发布的《第三代半导体-氮化镓(GaN)技术洞察报告》，氮化镓功率器件市场规模预计2026年达11亿美元，射频器件市场规模将达24亿美元，显示该领域具有广阔增长空间。博蓝特通过研发中心建设，可加速技术迭代，抢占市场先机。

• MEMS产业化封装线新增除研发中心外，博蓝特还将新增MEMS（微机电系统）产业化封装线。此举旨在完善产业链布局，将第三代半导体材料研发成果转化为可量产的封装产品，提升整体竞争力。MEMS技术广泛应用于消费电子、汽车电子等领域，与第三代半导体材料结合可拓展高端应用场景。

• 技术储备与专利布局博蓝特在第三代半导体领域已形成显著技术优势。智慧芽数据显示，公司及其关联企业在全球126个国家/地区拥有超90件专利申请，其中发明专利超50件，专利集中于图形化衬底、干法蚀刻等核心技术领域。这些技术储备为研发中心建设及封装线量产提供了坚实支撑。

• 行业地位与市场前景博蓝特成立于2012年，采用国际领先的光学、半导体制备工艺，依托先进设备开展GaN基LED芯片衬底及第三代半导体材料研发产业化，目前已跻身国内行业细分领域前三。此次融资后，公司通过技术升级与产能扩张，有望进一步巩固市场地位，并受益于第三代半导体市场的快速增长。

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