晶泽宇：开启微纳制造新纪元，赋能第三代半导体创新

晶泽宇微纳通过微纳制造技术突破第三代半导体加工瓶颈，以全流程解决方案赋能高压功率器件、MEMS传感器等领域创新，推动国产替代与产业升级。

一、技术背景：第三代半导体的机遇与挑战

• 市场需求驱动：5G通信、新能源汽车、智能传感等领域对半导体性能需求指数级增长，碳化硅（SiC）等第三代半导体材料因高击穿场强、高热导率、耐高温等特性成为关键材料。
• 加工难题：

  材料硬度高：SiC硬度接近金刚石，传统刻蚀效率低，侧壁粗糙度难以控制。

  工艺复杂：MEMS传感器、微流控芯片需亚微米级线宽控制和高深宽比结构，对全流程技术要求严苛。

二、核心技术：微纳制造工艺突破

1. 光刻技术

   电子束光刻：最小线宽30nm，支持量子点、光子晶体等前沿研究。

   步进式光刻：套刻精度±0.1μm，适用于高密度集成电路。

   激光直写光刻：兼容8英寸基板，最小线宽700nm，快速原型开发。

2. 刻蚀技术

   ICP等离子刻蚀：针对SiC、GaN等材料，侧壁角度89°–91°，粗糙度<10nm。

   深硅刻蚀（DRIE）：深宽比50:1，均匀性<±5%，优化MEMS腔体与微流控芯片。

   反应离子刻蚀（RIE）：灵活调控Si、SiO?等材料刻蚀速率与选择性。

3. 碳化硅工艺突破

   深度与精度兼顾：最大刻蚀深度>150μm，侧壁垂直度接近90°。

   动态速率适配：大线宽刻蚀速率>2μm/min，小线宽0.5–1.5μm/min。

   高选择性：SiC与掩膜层（如SiO?）选择性>10:1，确保图形高保真转移。

三、产品优势：全链条能力定义行业标杆

1. 全流程平台

   镀膜与键合：覆盖金属（Au、Pt）与非金属（ITO、Al?O?）材料，最大衬底尺寸1m×1m；支持阳极键合、共晶键合等方案。

   后道精密处理：减薄抛光表面粗糙度低至1nm，激光隐切精度达20μm，良率领先行业。

2. 四大核心优势

   精密控制：刻蚀均匀性±5%，侧壁粗糙度<10nm。

   定制化服务：深宽比、材料组合灵活调整，适配多样化需求。

   先进设备：配备松下、SPTS刻蚀机，Stepper i系列光刻机。

   快速响应：工艺开发到量产周期缩短40%，支持小批量试产。

3. 典型应用验证

   碳化硅功率器件：MOSFET导通损耗降低30%，高温稳定性显著提升。

   MEMS传感器：压力传感器通过万次循环测试，可靠性达车规级标准。

   微流控芯片：复杂微通道一次成型，助力生物医疗检测效率提升。

四、团队实力：学术与产业深度融合

• 万青博士领衔：浙江大学材料系本科，中科院微电子学博士，剑桥大学、斯坦福大学科研经历；发表SCI论文300余篇，获教育部自然科学一等奖、国家杰出青年等荣誉。
• 技术贡献：深耕氧化物半导体与MEMS技术20余年，带领团队攻克多项碳化硅加工难题，推动学术前沿与产业需求结合。

五、目标客户：聚焦高价值领域

• 科研机构与高校：新型材料（SiC、GaN）研究、微纳光学器件开发。
• MEMS制造商：惯性传感器、压力传感器批量生产，良率提升至95%。
• 功率半导体企业：新能源汽车用SiC MOSFET、IGBT制造，性能对标国际标准。
• 光电子与微流控公司：微透镜阵列、生物芯片加工，复杂结构一次成型。
• 初创团队：低成本快速打样，一站式支持从设计到封装。

六、未来展望：推动国产替代与产业革新

晶泽宇微纳以“精度为基、创新为翼”，通过微纳制造技术填补国内高端MEMS代工空白，助力客户突破技术瓶颈。其全流程解决方案已覆盖第三代半导体、智能传感、生物医疗等领域，未来将持续推动5G、新能源、智能医疗等技术革新，为国产半导体制造注入新动能。

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