苏州公示多个拟立项半导体项目，重点瞄准第三代半导体

苏州公示的2021年度重点产业技术创新拟立项项目中，多个项目聚焦第三代半导体领域，涵盖前瞻性应用基础研究与关键核心技术研发两大方向，具体立项情况如下：

一、前瞻性应用基础研究拟立项项目

此类项目聚焦第三代半导体材料与器件的基础工艺突破，重点方向包括：

• 氮化铝陶瓷复合衬底制备工艺针对MOCVD外延生长需求，研发氮化铝陶瓷复合衬底材料，旨在提升外延层质量与器件性能，为高功率、高频半导体器件提供基础支撑。

• 芯片封装集成散热技术基于第三代半导体材料特性，开发新型封装集成散热方案，解决高功率密度下的热管理难题，提升器件可靠性与使用寿命。
• 硅基氮化镓功率器件研发聚焦高可靠性、高功率硅基氮化镓MIS-HEMTs器件，通过优化材料结构与制造工艺，推动其在电力电子、新能源等领域的应用。

二、关键核心技术研发拟立项项目

此类项目围绕第三代半导体产业化需求，突破材料、器件、制造工艺等环节的核心技术，重点方向包括：

• Micro-LED外延与芯片技术研究新型显示Micro-LED的外延生长与芯片制造关键技术，推动第三代半导体在超高清显示领域的应用。
• 超级结功率器件研发开发第三代超级结功率器件，通过结构创新提升器件耐压与开关速度，满足新能源汽车、智能电网等场景需求。

• 动力电池管理系统模拟芯片研发高精度、高可靠动力电池功率管理系统（BMS）模拟芯片，保障电动汽车电池安全与性能优化。
• 氮化镓单晶衬底产业化突破半绝缘氮化镓单晶衬底产业化关键技术，降低材料缺陷密度，为射频器件、功率电子等提供高性能衬底。
• 大尺寸单晶硅片研发开展M12（210mm尺寸）单晶大硅片研究，推动半导体材料向大尺寸、低成本方向发展，支撑先进制程需求。
• 晶圆制程胶带研发针对第三代半导体晶圆高端制程需求，开发专用胶带材料，解决高温、高精度加工中的粘接与剥离难题。
• 半导体级超净高纯异丙醇研发面向12英寸晶圆制造的半导体级超净高纯异丙醇，满足先进制程对化学品的纯度与洁净度要求。
• 碳化硅衬底氮化镓外延材料开发应用于5G移动通信等射频器件的碳化硅衬底氮化镓外延材料，提升高频、高功率器件性能。

三、项目意义与产业影响

苏州此次公示的第三代半导体项目覆盖材料、器件、封装、制造等全产业链环节，体现了以下特点：

• 技术前瞻性：聚焦氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料，瞄准5G通信、新能源汽车、新能源等新兴领域需求。
• 产业协同性：通过基础研究与应用开发结合，推动第三代半导体技术从实验室到产业化落地。
• 区域集聚效应：苏州作为国内半导体产业重镇，此类项目将进一步强化其在第三代半导体领域的领先地位，助力形成完整产业生态。

此次立项项目若顺利实施，有望在第三代半导体材料、器件、制造工艺等领域取得突破，为我国半导体产业升级提供关键技术支撑。

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