多地半导体项目迎新进展！

近期我国多地半导体项目取得显著进展，涵盖开工、投产、签约、设备搬入等多个环节，涉及第三代半导体、功率半导体、封装测试、光刻机、电子厂房建设等多个领域。

• 珠海

  香洲区中晟泰科半导体产业园项目：围绕第三代半导体产品建设光芯片设计制造基地，达产后年产出50亿元。

  金湾区锐骏华南半导体项目：总投资12亿元，拟建设LED驱动芯片、功率半导体产品研发生产基地。

  斗门区汇创达新一代电子信息创新基地项目：在富山工业园建设“柔性线路板”“连接器”等产业创新项目，达产后满负荷运转年产值将达15亿元以上，可吸引带动上下游企业集聚，形成产业集群。

  高新区迈为泛半导体设备及半导体材料项目：计划建设泛半导体激光设备研产基地，主要包括面向半导体、微型显示、PCB的设备研发及制造。

• 昆山

  同兴达首台SMEE光刻机搬入：2月1日，昆山同兴达首台SMEE光刻机顺利搬入，该设备为昆山首台金凸块封测光刻机，具有较强延展性，可实现与先进制程芯片相似功能，应用于集成电路封装技术及光电组件对外连接。昆山同兴达将以此为契机，加快设备调试、样品试制和批量投产，打造金凸块IC先进封装测试制造平台。

• 重庆

  奥松半导体8英寸MEMS特色芯片IDM产业基地项目：总投资35亿元，拟用地200亩，包含8英寸CMOS+MEMS特色传感器芯片量产线、8英寸MEMS特色晶圆快速研发线、西部成渝双城经济圈智能传感器创新研发中心等建设项目，技术能力覆盖CMOS+MEMS特色工艺，可实现各类MEMS传感器产品的研发和批量生产。

• 成都

  芯未半导体10亿功率半导体项目：厂房已封顶，总投资约10亿元，主要从事IGBT等功率半导体芯片及产品的设计、开发、销售。项目建成投产后将为功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务。

• 宁波

  清纯半导体研发基地启用：2月3日，清纯半导体研发基地举行启用仪式，总面积4600平米，建设四大实验平台，配备国际领先的功率器件参数测试及可靠性设备，具备支撑月产近千万颗碳化硅器件的测试及筛选能力。清纯半导体已正式量产首款国产15V驱动SiC MOSFET，推出国内最低导通电阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，同时获得AEC-Q101车规认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核。

• 厦门

  安捷利美维高端封装基板及高端HDI生产能力建设项目：力争2月底实现项目主体建筑封顶，预计2023年底项目一期完成生产设备进厂安装，2024年完成新产品导入和正式投产。该项目总投资73.8亿元。

• 浙江

  赛扬电子车规级集成电路封测项目开工：2月5日，由中亿丰承建的浙江赛扬电子车规级集成电路封测项目正式开工，总投资5亿元，预计2024年4月竣工投产，达产后年产值约5亿元。

• 深圳

  中建三局中标深圳某半导体电子厂房项目：中标额约35亿元，项目位于深圳市宝安区，建成后将补齐深圳地区芯片制造短板，加快实现半导体关键领域和技术的自主创新突破和商业化运作。

  景旺电子半导体封装基板项目开工：位于燕罗街道，规划占地面积约1.8万平方米，总建筑面积约6.9万平方米，主要开展半导体封装基板、高端高密度印制电路板的研发、中试和中小批量制造业务，预计2025年交付使用，建成后达产后预计可实现年产值70亿元。

• 黑龙江

  穆棱市北一半导体二期投产：二期项目总投资3.5亿元，建设洁净车间8000平方米，新上5条现代化生产线，主要生产IGBT、PIM、IPM、HPD等模块及IGBT后端芯片，计划2023年6月实现量产。目前，企业已与国内外18家客商签订了供货合同，生产订单已排至2024年5月。

• 上海

  长三角国创中心-宝山区合作项目签约：实施“激光晶体材料”和“泛半导体腔体”两项重大产业化技术项目。激光晶体材料项目聚焦晶体材料键合核心技术和工艺的自主研发，真空腔体固态成型项目为泛半导体行业提供高质量铝合金真空腔体。

• 青岛

  中铠电子封装基地项目签约落户：计划投资5亿元，主要建设电子元器件金属组件自动化生产线及电子封装产业基地。

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