布局第三代半导体的本土上市公司

国内布局第三代半导体（以SiC、GaN为代表）的本土上市公司涵盖IDM、Fabless、封测、设备、代工厂及材料等多个产业链环节，具体企业及布局情况如下：

IDM企业

• 华润微：主要生产第三代半导体器件，自主研发的新一代650V SiC JBS综合性能达业界先进水平，多款产品量产；平面型1200V SiC MOSFET产出工程样品，静态技术参数达国外对标水平；第一代650V硅基氮化镓Cascode器件样品静态参数达外对标水平，正在优化外延材料质量、芯片面积及工艺；第一代650V硅基氮化镓E-mode器件实现功能，工艺开发中。
• 扬杰科技：近五年研究和储备第三代半导体应用技术，已有相关技术及产品成果，小批量SIC器件供应市场。
• 闻泰科技：650V氮化镓（GaN）技术通过车规级测试，碳化硅（SiC）产品已交付第一批晶圆和样品。
• 士兰微：建成6英寸硅基氮化镓集成电路芯片生产线，硅基GaN化合物功率半导体器件研发持续推进，SiC功率器件中试线二季度通线。
• 赛微电子：GaN业务包括外延材料和芯片设计。GaN外延材料方面，完成6-8英寸GaN外延材料制造项目（一期）建设，具备高水平研发与生长条件，在山东青岛拥有8英寸GaN外延晶圆产线；芯片设计方面，已研发、推出不同规格功率芯片产品及应用方案，推动微波芯片产品研发。
• 露笑科技：2021年10月29日，和长丰四面体对合肥露笑半导体碳化硅项目再次增资2亿元人民币。合肥工厂2022年9月份基本可实现6英寸导电型碳化硅衬底片小批量生产。
• 三安光电：6月23日宣布总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产，打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，产线可月产3万片6英寸碳化硅晶圆。
• 吉林华微电子：建立肖特基、快恢复、单双向可控硅、全品类MOS及IGBT等功率半导体器件产品体系，积极布局SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术。
• 捷捷微电：与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，有少量碳化硅器件封测，系列产品持续研究推进。

Fabless企业

• 斯达半导：拟使用募集资金向全资子公司斯达微电子增资19.78亿元，其中5亿元用于“SiC芯片研发及产业化项目”建设。2021年上半年，在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车行业控制器、光伏行业推出的各类SiC模块得到进一步推广应用，新能源汽车领域新增多个使用全SiC MOSFET模块的800V系统主电机控制器项目定点。

  

• 新洁能：专注于半导体功率器件行业，具备独立MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主工艺技术平台。目前1200V新能源汽车用SiC MOSFET和650V PD电源用GaN HEMT在境内外芯片代工厂处于流片验证阶段，进展顺利。
• 富满电子：在第三代半导体GaN快充领域，有可搭配GaN的中高功率（≥65W）主控芯片、PD协议芯片等产品。相关芯片NF7307具备更高集成度、更出色性能及更高可靠性，已经上市。

封测企业

• 苏州固锝：专注于半导体整流器件、功率器件和QFN、MEMS等集成电路封测领域。2021年发布全系列600V - 1200V新一代SiC二极管，11月SIC产品处于小批量试产阶段。
• 华天科技：主营业务为集成电路封装测试，有基于氮化镓材料的封测业务。
• 华峰测控：在第三代化合物半导体尤其是GaN布局较早，台积电2020年10月首次直接采购GaN测试设备，此前多次通过供应链客户采购。

设备企业

• 晶盛机电：碳化硅领域产品主要有碳化硅长晶设备及外延设备，碳化硅外延设备已通过客户验证，在碳化硅晶体生长、切片、抛光环节规划建立测试线。
• 北方华创：可提供第三代半导体相关设备，碳化硅方面提供长晶炉、外延炉、刻蚀、高温退火、氧化、PVD、清洗机等设备，氮化镓方面提供刻蚀、PECVD、清洗机等设备。

代工厂

• 英唐智控：控股子公司上海芯石研发的第三代半导体产品中，已通过代工方式实现SiC - SBD产品小批量销售，SiC - MOSFET研发工作进入尾声，准备开展产线投片验证工作。
• 海特高新：子公司海威华芯建成投产先进的6英吋并兼容4英吋的碳化硅基氮化镓生产线，是国内率先提供6吋砷化镓和6吋氮化镓纯晶圆制造（Foundry）服务的芯片制造企业，投资21亿元建成首条6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路芯片军民两用商业化生产线。

材料企业

• 楚江新材：子公司顶立科技致力于第三代半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）单晶所需关键材料、构件和装备的研发制造，自主研发SiC单晶生长用关键原料——超纯C粉生产设备，掌握将5N及以下C粉提纯到6N及以上技术，设备与工艺技术国内领先，高纯碳粉已实现小批量生产。
• 南大光电：主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品研发，高纯三甲基镓产品可用于生产第三代半导体材料氮化镓。

光电企业转型

• 华灿光电：在浙江建有第三代半导体材料与器件重点实验室，积极探索GaN等第三代半导体材料，拓展至电力电子半导体器件等领域。
• 乾照光电：积极布局以GaAs和GaN材料为基础的化合物半导体方向，产品有GaN LED芯片。
• 国星光电：2021年4月正式推出一系列第三代半导体新产品，分为SiC功率器件、GaN - DFN器件、功率模块3大产品系列，已完成三代半功率器件实验室及功率器件试产线建立工作，计划2021年底实现小规模量产。
• 聚灿光电：主要从事化合物光电半导体材料的研发、生产和销售业务，主要产品为GaN基高亮度LED外延片、芯片。

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