新凯来、电科装备、高测股份大动作，瞄准第三代半导体等发展

在SEMICON China 2025展会上，新凯来、电科装备、高测股份围绕第三代半导体领域展示了最新产品与解决方案，具体内容如下：

新凯来：展示多款半导体设备，覆盖先进制程与第三代半导体

• 全系列产品与新品发布：新凯来首次参展即成为焦点，展出工艺装备、量检测装备等全系列产品，并发布五款新品，涵盖先进制程和第三代半导体领域。

  EPI（峨眉山）：专攻先进制程及第三代半导体外延层技术，外延层是半导体制造中提升材料性能的关键环节，尤其在碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料中应用广泛。

  ALD（阿里山）：支持5nm及更先进制程，原子层沉积技术通过逐层沉积实现超薄、均匀的薄膜，满足高端芯片对材料精度的极致要求。

  PVD（普陀山）：金属镀膜精度达微米级，已进入国内晶圆代工大厂验证阶段，物理气相沉积技术适用于高熔点金属薄膜制备，是功率器件、射频器件的核心工艺。

  ETCH（武夷山）：聚焦第三代半导体刻蚀，刻蚀工艺与光刻配合实现图形化，第三代半导体材料硬度高、化学稳定性强，对刻蚀设备提出更高挑战。

  CVD（长白山）：适配5nm制程并兼容多种节点，化学气相沉积是半导体制造中需求量最大的设备之一，用于生长绝缘层、导电层等关键材料。

• 技术积累与市场进展：新凯来核心团队具备20年以上电子设备开发经验，已完成全系列装备开发，初步满足逻辑、存储等半导体制造企业需求。截至2024年底，大部分装备已取得突破并开始验证应用，标志着其从技术研发向产业化迈出关键一步。

电科装备：发布大尺寸碳化硅材料加工智能解决方案

• 明星产品矩阵：电科装备培育了晶锭减薄设备、激光剥离设备、晶片减薄设备、化学机械抛光设备等明星产品，形成覆盖8至12英寸碳化硅材料加工的智能解决方案。

  激光剥离工艺突破：采用激光聚焦诱导碳化硅晶体内部产生裂纹，实现无接触式切片，避免传统多线切割的线损问题，切割研磨损耗降至原来的40%左右，显著降低材料成本。

  市场反馈与合作：该解决方案已获市场积极反馈，进入用户产线试验验证，并与多家头部企业达成意向合作，验证了其在碳化硅衬底制备领域的竞争力。

高测股份：推出8英寸碳化硅“切、倒、磨”一体化解决方案

• 切割环节：

  2018年、2021年先后推出针对半导体硅、碳化硅切割的金刚线切片专机，通过优化工艺参数实现高精度切割，提升效率并降低材料损耗。

• 倒角环节：

  2024年推出全自动晶圆倒角机，采用双工位独立研磨设计，适用于4寸、6寸、8寸半导体晶圆边缘倒角加工，满足不同尺寸需求。

• 研磨环节：

  全自动减薄机采用In-feed加工原理，通过砂轮旋转及垂直进给实现高精度磨削，表面粗糙度控制在3nm以下，兼容6-8英寸晶圆加工，满足高端芯片制造对表面质量的严苛标准。

• 一体化优势：

  方案覆盖从原材料到成品的全流程加工，通过设备紧密衔接提升工艺整合度与生产效率，契合第三代半导体材料加工需求激增背景下市场对效率提升的迫切诉求。

行业影响与趋势

• 第三代半导体加速落地：碳化硅、氮化镓等材料因高效率、高功率密度特性，在新能源汽车、5G通信、光伏等领域加速替代传统硅基器件，设备厂商的技术突破为产业规模化提供支撑。
• 国产化替代提速：新凯来、电科装备、高测股份等企业通过全系列产品布局与核心工艺突破，推动半导体设备国产化进程，减少对国际巨头的依赖。
• 技术整合与效率优先：从单环节设备到一体化解决方案的演进，反映行业对降低生产成本、提升产线效率的共同追求，未来设备厂商需在精度、稳定性与成本间寻求平衡。

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