突破碳化硅“卡脖子”技术！年产5000片中科汉韵SiC器件项目通线

年产5000片中科汉韵SiC器件项目通线，标志着我国突破了碳化硅芯片设计和工艺制造国产化中的一系列重大“卡脖子”技术，对国内第三代半导体产业发展意义重大。

• 项目基本情况

  5月24日上午，江苏中科汉韵半导体有限公司SiC功率器件项目通线仪式在开发区凤凰湾电子信息产业园举行。该项目一期建设面积2.1万平方米，全面达产后，年产能将达到5000片碳化硅功率器件等分立半导体器件。

  项目从设备进场到通线仅花费约六个月时间。中科汉韵董事长袁述表示，设备从光刻机到薄膜，到刻蚀化学腐蚀离子注入等等，都是比较先进的。

  中科汉韵二期项目计划2021年开始实施，全新配置6寸工艺线，或将成为国内首家规模化生产碳化硅MOSFET芯片和模块的企业。

• 碳化硅功率器件的主要优势

  耐高温，耐高压：理论上可承受600℃以上，是硅基功率器件的四倍。这使得碳化硅功率器件在高温、高压等极端环境下具有更好的稳定性和可靠性，能够满足一些特殊应用场景的需求。

  优化器件尺寸和重量：碳化硅器件拥有更高的热导率和功率密度，能够简化散热系统。在功率器件应用中，散热是一个关键问题，良好的热导率可以更快地将热量散发出去，减少对散热设备的要求。功率密度的提高则意味着在相同功率输出下，器件的体积可以更小。因此，碳化硅器件可以实现器件的小型化和轻量化，这对于一些对空间和重量有严格限制的应用，如航空航天、电动汽车等领域具有重要意义。

  低损耗、高频率：碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10倍，而且效率不随工作频率的升高而降低，可以降低近50%的能量损耗。在电力电子系统中，能量损耗的降低意味着能源利用效率的提高，可以减少能源浪费和运行成本。同时，因频率的提升减少了电感、变压器等外围组件体积，全面缩小系统体积，降低成本。高频率的工作特性使得碳化硅功率器件在高频开关电源、无线充电等领域具有广阔的应用前景。

• 中科汉韵的企业定位与发展方向

  中科汉韵是中国科学院微电子研究所和徐州共同投资的半导体芯片设计与制造（IDM）企业，聚焦于第三代半导体碳化硅MOSFET芯片和模块的研发、生产和销售。

  定位于电动汽车、数据中心、机器人等新基建用碳化硅器件核心技术的跟踪、创新和技术引领。随着新基建的快速发展，电动汽车、数据中心、机器人等领域对高性能功率器件的需求日益增长。碳化硅功率器件凭借其优异的性能，能够满足这些领域对高效率、高可靠性、小型化等方面的要求。中科汉韵通过在该领域的深耕细作，有望推动国内相关产业的技术升级和发展。

很赞哦!（643）