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车规级碳化硅MOSFET系列DCM模块助力新能源汽车
吉安市新三代科技有限公司26-05-07【产品中心】8人已围观
简介一.碳化硅功率器件应用及优势在新能源汽车中，碳化硅器件展现出高效、高功率密度和优异性能，尤其在800 V电池系统和大电池容量中，它能提高逆变器效率，延长续航里程或降低电池成本。SiC 功率半导体拥有关键效率特性，降低成本，提高电动汽车充电器
一.碳化硅功率器件应用及优势
在新能源汽车中，碳化硅器件展现出高效、高功率密度和优异性能，尤其在800 V电池系统和大电池容量中，它能提高逆变器效率，延长续航里程或降低电池成本。
SiC 功率半导体拥有关键效率特性，降低成本，提高电动汽车充电器、太阳能逆变器、电动汽车电机驱动器等多种应用中的系统性能，预计使用指数增长快。
与基于 IGBT 的电源模块相比，SiC 具有以下优势：
1.开关速度更快，开关损耗更低，减少系统面积。
2.适用于高开关频率应用。
3.高阻断电压。
4.结温更高。
5.高电流密度。
6.降低开关损耗，实现最高效率。
7.高功率密度，结合高开关频率、最小化损耗和最大化效率，实现卓越的输出功率和功率密度。
8.降低整体系统成本，减少无源滤波器元件数量，降低功率损耗，减少散热器面积，减少冷却需求。
SiC 功率模块的典型应用包括大功率电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器、电机驱动器、储能、电动汽车。
二.碳化硅MOS系列DCM模块
碳化硅功率模块使用碳化硅半导体作为开关，用于电能转换，转换效率高。
车规级碳化硅MOSFET系列DCM模块，专为新能源汽车主驱逆变器应用设计，具有高功率密度，广泛用于新能源乘用车、商用车等的电力驱动系统及燃料电池能源转换系统。
DCS12模块特点：
1.采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃。
2.功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗。
3.集成NTC温度传感器，易于系统集成。
三.新能源汽车市场应用
目前，商用车规级SiC功率模块多采用基于硅器件的传统模块封装技术，三相全桥HPD模块仍是主流。
但随着800V+SiC时代的到来，以半桥结构和塑封工艺为主的封装模式或将成为大趋势。
SiC塑封半桥模块更灵活，配合关键技术，可实现更均匀的电流密度分布，热容热阻和杂散电感等方面表现也更好。
通过采用双面水冷等技术，还可大幅降低SiC芯片成本。
蔚来发布了最新的旗舰车型ET9，搭载1200V SiC功率模块，采取半桥封装工艺，功率模块密度1315kW/L，拥有高达30万次的功率循环能力。
比亚迪汽车也在更新SiC主驱功率模块技术路线，逐渐从HPD模式向半桥模式转移，并推出相关产品。
最近小米汽车SU7正式亮相，主驱电控的SiC功率模块采用SiC半桥模块。
据“行家说三代半”调研，国内比亚迪、蔚来和小米，北汽、长安、赛力斯、长城等车企也在主驱中导入SiC半桥模块。
四.爱仕特碳化硅MOS系列模块
爱仕特推出了新一代车规级SiC模块—DCS12系列，采用半桥式结构，工作额定电压范围为650V-1700V，工作电流范围为400A-1000A，契合大多数新能源汽车的使用场景。
DCS12模块具有以下优势：
●散热架构优越，整体可靠性强。
●密封性良好，杂散电感低。
●功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗。
作为SiC器件头部厂商，爱仕特目前已完成A+轮融资，基于自主设计的6英寸SiC芯片，现已量产650V、1200V、1700V、3300V全系列SiC MOSFET及功率模块，并自建车规级SiC功率模块生产基地。
在新能源汽车中，碳化硅器件展现出高效、高功率密度和优异性能，尤其在800 V电池系统和大电池容量中，它能提高逆变器效率，延长续航里程或降低电池成本。
SiC 功率半导体拥有关键效率特性，降低成本，提高电动汽车充电器、太阳能逆变器、电动汽车电机驱动器等多种应用中的系统性能，预计使用指数增长快。
与基于 IGBT 的电源模块相比，SiC 具有以下优势：
1.开关速度更快，开关损耗更低，减少系统面积。
2.适用于高开关频率应用。
3.高阻断电压。
4.结温更高。
5.高电流密度。
6.降低开关损耗，实现最高效率。
7.高功率密度，结合高开关频率、最小化损耗和最大化效率，实现卓越的输出功率和功率密度。
8.降低整体系统成本，减少无源滤波器元件数量，降低功率损耗，减少散热器面积，减少冷却需求。
SiC 功率模块的典型应用包括大功率电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器、电机驱动器、储能、电动汽车。
二.碳化硅MOS系列DCM模块
碳化硅功率模块使用碳化硅半导体作为开关，用于电能转换，转换效率高。
车规级碳化硅MOSFET系列DCM模块，专为新能源汽车主驱逆变器应用设计，具有高功率密度，广泛用于新能源乘用车、商用车等的电力驱动系统及燃料电池能源转换系统。
DCS12模块特点：
1.采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃。
2.功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗。
3.集成NTC温度传感器，易于系统集成。
三.新能源汽车市场应用
目前，商用车规级SiC功率模块多采用基于硅器件的传统模块封装技术，三相全桥HPD模块仍是主流。
但随着800V+SiC时代的到来，以半桥结构和塑封工艺为主的封装模式或将成为大趋势。
SiC塑封半桥模块更灵活，配合关键技术，可实现更均匀的电流密度分布，热容热阻和杂散电感等方面表现也更好。
通过采用双面水冷等技术，还可大幅降低SiC芯片成本。
蔚来发布了最新的旗舰车型ET9，搭载1200V SiC功率模块，采取半桥封装工艺，功率模块密度1315kW/L，拥有高达30万次的功率循环能力。
比亚迪汽车也在更新SiC主驱功率模块技术路线，逐渐从HPD模式向半桥模式转移，并推出相关产品。
最近小米汽车SU7正式亮相，主驱电控的SiC功率模块采用SiC半桥模块。
据“行家说三代半”调研，国内比亚迪、蔚来和小米，北汽、长安、赛力斯、长城等车企也在主驱中导入SiC半桥模块。
四.爱仕特碳化硅MOS系列模块
爱仕特推出了新一代车规级SiC模块—DCS12系列，采用半桥式结构，工作额定电压范围为650V-1700V，工作电流范围为400A-1000A，契合大多数新能源汽车的使用场景。
DCS12模块具有以下优势：
●散热架构优越，整体可靠性强。
●密封性良好，杂散电感低。
●功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗。
作为SiC器件头部厂商，爱仕特目前已完成A+轮融资，基于自主设计的6英寸SiC芯片，现已量产650V、1200V、1700V、3300V全系列SiC MOSFET及功率模块，并自建车规级SiC功率模块生产基地。
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