8家公司投资430亿，第三代半导体项目井喷

8家公司投资430亿推动国内第三代半导体项目呈现井喷态势，众多企业积极布局，涵盖多个领域与地区。以下是详细介绍：

• 博方嘉芯

  3月3日，浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司氮化镓射频及功率器件项目在浙江嘉兴南湖区开工。该项目总投资25亿元，占地111.35亩，2019年11月7日签约落地。全部达产后可实现年销售30亿元以上，推动南湖区集成电路新一代半导体产业发展。

  3月20日，嘉兴科技城与浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司正式签约，共建第三代半导体产业技术研究院，以推进氮化镓射频及功率器件产业化项目，促进第三代半导体产业在嘉兴科技城发展。

• 世纪金光

  3月12日，合肥产投资本管理的语音基金与北京世纪金光半导体有限公司签署投资协议并完成首期出资，合肥首个第三代半导体产业项目正式落地。世纪金光将与合肥产投资本合作，在合肥高新区投资建设6英寸碳化硅单晶生长及加工项目。

  世纪金光是贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业，致力于第三代半导体功能材料和功率器件研发与生产，是国家级高新技术企业。公司成立于2010年12月，位于北京经济技术开发区，其前身为始建于1970年的中原半导体研究所，有50年历史积淀。

• 泰科天润

  3月29日，泰科天润半导体科技（北京）有限公司投资建设的6寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目正式签约落户九江经开区。

  该项目总投资10亿元，在城西港区建设6英寸半导体碳化硅电力电子器件生产线，规划生产能力达到6万片/年，项目满产后预计可实现年产值10.5亿元。此项目将建成国内首条国际先进水平的SiC功率器件生产线，填补九江乃至江西省半导体功率器件的空白。

  泰科天润是国内第一家致力于第三代半导体材料碳化硅（SiC）电力电子器件制造的高新技术企业，总部坐落于中国北京中关村，在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺，并拥有目前国内唯一一条碳化硅器件生产线。

• 中鸿新晶

  4月8日，中鸿新晶总投资超百亿的第三代半导体项目落户济南。该项目依托中科院半导体所、微电子所等源头创新力量，中电化合物公司及航天国际有限公司等产业龙头、中南资本、中科院控股等金融资本，由中鸿新晶公司提供先进技术与团队。

  项目总投资约111亿元，总建设周期5年，分三期进行。一期产业投资8亿元，计划3年内完成第三代半导体产业集群初步建设，完成深紫外LED生产线20条，6 - 8英寸碳化硅单晶生产、加工、碳化硅外延生产线各2条，氮化镓中试线1条。一期完成后，将实现年产值20亿元，利税24.2亿元。

  二期投资51亿元，完成第三代半导体产业基金的募集工作，并购瑞典ASCATRON(艾斯科强) 公司，打造全球领先的“国家级战略新兴半导体研究院”，视一期进展及市场需求情况适时启动，计划2年内完成6 - 8英寸碳化硅单晶扩产、6 - 8英寸氮化镓外延、射频器件、功率器件生产线各1条。二期完成后，将实现年产值120亿元，利税将超过20亿元。

  三期投资52亿元，将ASCATRON公司后续芯片生产全部转移至中国，项目建成后预期将带动上下游产业近千亿元产值。

  中鸿新晶科技有限公司成立于2017年，是为第三代半导体产业链提供原材料和装备解决方案的高科技企业，专业从事第三代半导体高纯碳化硅微粉生产、碳化硅单晶炉的研发制造，碳化硅和氮化镓芯片设计和制造。

• 华通芯电

  6月19日，华通芯电第三代化合物半导体项目正式落户上海金山。该项目总投资29亿元，固定资产投资22.7亿元，计划用地50亩，将通过第三方代建的模式，在上海金山购置土地并建设厂房和洁净车间，项目分为两阶段实施。

  第一阶段计划投资6.5亿元，建设月产7000片GaAs（砷化镓）芯片生产项目；第二阶段计划投资22.5亿人民币，建设月产3000片GaN（氮化镓）射频芯片和20000片功率半导体芯片生产项目，其产品将广泛用于5G基站、雷达、微波等工业领域。

• 新微半导体

  6月29日，在2020年中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上，总投资80亿元的新微半导体第三代化合物半导体制造平台项目签约。

  新微化合物半导体项目计划自2020年起分三期建设，前二期分别在2020年和2021年建成并投入使用。前二期总投资人民币30.5亿元，其中第一期总投资15亿元，主要用于建设厂房以及4英寸光电和6英寸毫米波二条量产线；第二期总投资15.5亿元，主要用于建设一条以硅基射频和硅基功率器件为主要内容的8吋量产线，异质集成、多种封装测试研发中试平台。

  该项目作为临港新片区导入的重点产业项目，定位于战略性材料和器件技术研发平台和量产线，致力于解决国家在射频毫米波、光电器件和电力电子器件等领域长期面临的一系列“卡脖子”问题。

• 三安光电

  7月20日，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。该项目总投资160亿元，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

• 露笑科技

  7月30日，露笑科技子公司浙江露笑碳硅晶体有限公司新建碳化硅衬底片产业化项目参与浙江绍兴诸暨重大项目集中开工仪式。

  该项目计划总投资6.95亿元，主要采用碳化硅升华法长晶工艺及SiC衬底加工工艺，引进具有国际先进水平的6英寸导电晶体生长炉、4英寸高纯半绝缘晶体生长炉等设备，购置多线切割机、抛光机等国产设备，建成后形成年产8.8万片碳化硅衬底片的生产能力。

此外，还有一些相关项目：

• 科友半导体

  7月3日，科友半导体产学研聚集区项目在哈尔滨新区江北一体发展区正式开工建设。该项目占地4.5万平方米，一期计划投资10亿元，主要建设中俄第三代半导体研究院、中外联合技术创新中心、科友半导体衬底制备中心、科友半导体高端装备制造中心、国际孵化基地、科友半导体产品检验检测中心、人工宝石展览馆等项目。

  项目全部达产后，最终形成年产高导晶片近10万片，高纯半绝缘晶体 1000 公斤的产能；PVT - SIC 晶体生长成套设备年产销200台套。

  目前，该公司已完成6英寸第三代半导体衬底制备，正在进行8英寸研制，有望成为国内首家攻克8英寸第三代半导体衬底的企业，填补国内空白。同时，还是国内首家攻克8英寸第三代半导体装备制造的企业。

• 中国电科（山西）电子信息科技创新产业园

  3月份，投资50亿元，建设用地约1000亩的中国电科（山西）电子信息科技创新产业园在山西转型综改示范区正式投产。这个碳化硅基地一期共有300台设备，单月产值就能突破一亿元。项目全部建成后，将成为国内最大的碳化硅材料供应基地，串联起山西转型综改示范区上下游十多个产业，带动山西半导体产业集群迅速发展，实现中国碳化硅的完全自主供应。

• 华灿光电

  7月8日，华灿光电院士工作站在义乌制造基地正式挂牌。院士工作站由中国科学院院士叶志镇教授领衔，华灿光电研发团队支持，将助力公司在第三代半导体材料和器件领域加速提升核心技术，为地方经济及国家产业发展提供有力技术支撑。

在5G和电动汽车的新场景下，第三代半导体材料需求起飞，国内众多厂商积极布局，着力解决芯片材料、设计、制造、封测、模块等领域存在受制于人及“卡脖子”问题，推动国内新一代半导体及集成电路产业链发展。

很赞哦!（267）