“博蓝特”获投资，将进一步发力第三代半导体技术创新

“博蓝特”获中兵顺景投资后，将通过设立子公司、建设研发中心和新增封装线等举措进一步发力第三代半导体技术创新。

• 投资方与融资后规划浙江博蓝特半导体科技股份有限公司获得中兵顺景投资。融资完成后，公司计划在厦门市火炬高新区设立子公司（或为厦门立芯元奥微电子科技有限公司），并建设第三代半导体研发中心，同时新增MEMS产业化封装线业务。这一布局旨在整合区域资源，强化技术研发与产业化能力，推动第三代半导体材料及器件的规模化应用。

• 公司背景与技术领域博蓝特成立于2012年，专注于GaN基LED芯片（图形化）衬底及第三代半导体材料的研发与产业化。公司采用国际领先的光学、半导体制备工艺，利用新型半导体材料加工设备，已发展成为国内细分领域前三的生产规模企业。其核心产品包括图形化衬底、干法蚀刻相关技术，这些技术是提升第三代半导体器件性能的关键环节。

• 第三代半导体市场前景根据智慧芽发布的《第三代半导体-氮化镓(GaN)技术洞察报告》及Yole预测：

  氮化镓功率器件：市场规模将从2020年的约1.5亿美元增长至2026年的11亿美元，年复合增长率达40%以上，主要应用于快充、新能源汽车、光伏逆变器等领域。

  氮化镓射频器件：市场规模将从2020年的约8亿美元增长至2026年的24亿美元，年复合增长率超20%，驱动因素包括5G基站、雷达、卫星通信等高频场景需求。博蓝特的技术布局与市场增长方向高度契合，其研发中心及封装线的建设将直接服务于氮化镓器件的产业化需求。

• 技术储备与专利布局智慧芽全球专利数据库显示，博蓝特及其关联公司在126个国家/地区拥有超90件专利申请，其中发明专利超50件。专利技术集中于：

  图形化衬底：通过优化衬底表面结构，提升LED芯片及功率器件的发光效率与散热性能。

  干法蚀刻：用于精密加工半导体材料，实现高精度、低损伤的器件制造，是第三代半导体器件小型化、集成化的关键工艺。专利公开周期通常为4-18个月，当前数据已覆盖公司近年的核心技术成果，反映其持续创新能力。

• 战略意义与行业影响博蓝特此次融资及业务扩张，将加速第三代半导体技术的国产化替代进程。通过研发中心的建设，公司可突破材料制备、器件设计等环节的技术瓶颈；新增的MEMS封装线则能完善产业链布局，提升从材料到器件的一体化供应能力。此外，厦门子公司的设立有助于吸引区域人才与政策支持，巩固其在氮化镓领域的领先地位。

总结：博蓝特凭借中兵顺景的投资支持，通过技术研发、产能扩张与产业链整合，正从材料供应商向第三代半导体综合解决方案提供商转型。其专利储备与市场定位为其在氮化镓器件爆发期抢占先机提供了坚实基础，未来有望成为推动国内半导体产业升级的重要力量。

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